IGBT 30B120KD-EP

Описание IGBT 30B120KD-EP

IGBT 30B120KD-EP – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высокоэффективных силовых электронных устройств. Модуль сочетает в себе низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и надежность. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и системах управления двигателями.

Корпус TO-247 обеспечивает хорошие тепловые характеристики, а встроенный быстрый диод (антипараллельный) улучшает работу в индуктивных цепях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------------|--------------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом (NPT-технология) | | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Максимальный ток (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток при 100°C (I_C) | ~15–20 А (зависит от охлаждения) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) при 15 А | | Время включения (t_on) | 30 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 120 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.5 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (3 вывода) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW30N120T (аналог по параметрам)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• Mitsubishi: CM300DY-24A (для модульных сборок)

Рекомендуемые замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200V, 20A) – с поправкой на меньший ток.
• H30R1202 (с диодом, 30A, 1200V).

Примечания по применению

• Для работы на высоких токах требуется эффективный теплоотвод (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется использовать драйверы IGBT (например, IR2110, M57962AL) для снижения потерь.
• Модуль чувствителен к статическому электричеству – соблюдайте меры защиты при монтаже.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните!