IGBT 30g123

IGBT 30G123: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT 30G123 — это высоковольтный IGBT-транзистор, предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Отличается высокой эффективностью, малыми коммутационными потерями и надежностью.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при I_C = 30 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

IGBT 30G123 может быть совместим или заменяем следующими аналогами:

• IRG4PH30U (International Rectifier)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N120B3D (Microsemi)
• STGW30NC120HD (STMicroelectronics)
• APT30GR120J (Microchip Technology)

Для точной замены рекомендуется сверять характеристики и распиновку, так как параметры могут незначительно отличаться.

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные блоки питания
• Устройства плавного пуска

Если вам нужно уточнить параметры для конкретного применения, обратитесь к даташиту производителя.