IGBT 35a/1200v

Описание и технические характеристики IGBT 35A/1200V

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – это силовой полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Модуль 35A/1200V предназначен для применения в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 35 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 70 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 100–200 Вт (зависит от корпуса и охлаждения) |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,8–2,5 В (при 35 А) |
| Время включения (t_on) | 50–100 нс |
| Время выключения (t_off) | 200–500 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,3–0,6 °C/Вт |
| Корпус | TO-247, TO-3P, N-канал (зависит от модели) |

Совместимые аналоги и парт-номера:

Популярные модели IGBT 35A/1200V:

1. Infineon

   • IKW40N120T2 (TO-247, 40A/1200V)
   • IKW35N120H3 (TO-247, 35A/1200V)

2. STMicroelectronics

   • STGW35HF120WD (TO-247, 35A/1200V)

3. Fuji Electric

   • 2MBI200U2A-120 (модуль, 35A/1200V)

4. ON Semiconductor

   • NGTB35N120FL3WG (TO-247, 35A/1200V)

5. Mitsubishi

   • CM300DY-24NF (IGBT-модуль, 300A/1200V, но может использоваться в параллельном включении для меньших токов)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна конкретная модель с дополнительными параметрами (например, с диодом обратного хода, в корпусе модуля и т. д.), уточните детали!