IGBT 403GB128DS

Описание IGBT-модуля 403GB128DS

403GB128DS – это высоковольтный IGBT-модуль с интегрированным обратным диодом, предназначенный для мощных импульсных и инверторных применений. Используется в промышленных преобразователях частоты, сварочном оборудовании, системах управления электроприводами и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой перегрузочной способностью и эффективным теплоотводом благодаря изолированному корпусу.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип модуля | IGBT с обратным диодом (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1280 В |
| Ном. ток коллектора (I_C) | 403 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | до 806 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~600–800 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8–2.5 В |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | нс/мкс (уточняется по даташиту) |
| Температура эксплуатации | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (например, SEMiX или подобный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF400R12KE3, FF450R12KE3 (с поправкой на ток/напряжение)
• Mitsubishi: CM400DY-12S (CM400HC-12S)
• Fuji Electric: 2MBI400XBE128-50
• SEMIKRON: SKM400GB128D

Cross-reference:

• Производитель модуля: Уточняется (возможно, IXYS, Powerex или другой бренд).
• Рекомендуется проверять datasheet для точного соответствия параметров.

Примечания

1. Для точной замены учитывайте:
   • Распиновку и крепление.
   • Напряжение и токовую нагрузку.
   • Тепловые характеристики (возможность использования того же радиатора).
2. Перед установкой проверяйте документацию на конкретное оборудование (например, инверторы SMA, ABB и др.).

Если вам нужен даташит или дополнительные параметры, уточните производителя модуля.