IGBT 5012C-pdmb

Описание IGBT 5012C-PDMB

IGBT 5012C-PDMB – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой температурной стабильностью и надежной конструкцией.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип | NPT IGBT с антипараллельным диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ном. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В |
| Время включения (t_on) | ≤ 80 нс |
| Время выключения (t_off) | ≤ 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRGP50B120PD1 (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• IXGH50N120B3 (IXYS)

Совместимые модели в схемах:

• 5012C-PDM (другая версия)
• 5012C-PDMA (модификация с улучшенными параметрами)
• 5012C-PDMC (альтернативный вариант корпуса)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы сварочных аппаратов
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы и сервосистемы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять даташит производителя, так как параметры могут незначительно отличаться.