IGBT 50A-2MBI50L-120

Описание IGBT модуля 2MBI50L-120

Модель: 2MBI50L-120
Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric или другие бренды в зависимости от серии)
Тип: IGBT-модуль с N-канальными транзисторами и встроенным диодом (обычно Flyback Diode).
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах электропитания.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Максимальный ток (IC @ 25°C) | 50 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8–2.5 В (тип.) |
| Ток диода (I_F) | 50 A |
| Мощность (P_tot) | ~200–300 Вт (зависит от охлаждения)|
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | нс/нс (уточнять в даташите)|
| Корпус | Стандартный модуль (например, 2-in-1 полумост)|
| Рабочая температура | -40°C до +150°C (T_j) |
| Вес | ~50–100 г (зависит от корпуса) |

Part Numbers и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric:
  • 2MBI50L-120 (оригинал)
  • 2MBI50U4H-120 (возможна модификация)
• Mitsubishi Electric:
  • CM50DY-12H (аналог по току/напряжению)
  • CM50DY-24H (1200V, 50A)
• Infineon:
  • FF50R12RT4 (50A, 1200V, с диодом)
• SEMIKRON:
  • SKM50GB12T4 (аналог)

Совместимые модули в схемах:

• Модели с такими же параметрами (50A/1200V) и схемой включения (например, полумост или одиночный ключ).
• Важно проверять распиновку и тепловые характеристики перед заменой.

Примечания

1. Даташит: Рекомендуется уточнять параметры в официальном документации (например, Fuji Electric #2MBI50L-120 datasheet).
2. Охлаждение: Требуется радиатор с тепловым сопротивлением <0.5°C/Вт для максимальной нагрузки.
3. Применение: Подходит для частотных преобразователей до 30–50 кВт (в зависимости от топологии).

Если нужны дополнительные данные (например, графики V_CE(sat) или точные размеры), укажите — помогу найти!