IGBT 50A600V

Описание IGBT 50A600V

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) на 50A 600V – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах, частотных преобразователях и других устройствах силовой электроники.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | до 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,5–2,2 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 200–300 Вт | | Время включения (t_on) | 20–50 нс | | Время выключения (t_off) | 50–150 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247, TO-3P, TO-264 |

Популярные парт-номера и аналоги

Infineon:

• IKW50N60T (600V, 50A, TO-247)
• IKW50N60H3 (600V, 50A, TO-247, низкие потери)

STMicroelectronics:

• STGW50H60DF (600V, 50A, TO-247, диод в корпусе)

Fuji Electric:

• 2MBI50N-060 (600V, 50A, модуль)

ON Semiconductor:

• FGH50N60SMD (600V, 50A, TO-247)

Mitsubishi:

• CM50DY-12H (600V, 50A, модуль)

Совместимые модели

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG50N60A4D (ON Semiconductor)
• IXGH50N60B3 (IXYS)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы

При выборе аналога учитывайте характеристики корпуса, параметры V_CE(sat) и тепловое сопротивление. Для высокочастотных схем предпочтительны модели с малым временем переключения (например, Infineon IKW50N60H3).

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните модель производителя!