IGBT 50B60PD1

Описание IGBT-модуля 50B60PD1

50B60PD1 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления мощными электрическими нагрузками в импульсных преобразователях, инверторах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзистор и антипараллельный диод, что упрощает проектирование схем и повышает надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 100°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 50 А) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) | | Напряжение диода (V_F) | 1.5 В (при I_F = 50 А) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• FGA50N60 (Fairchild)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• HGTG20N60A4D (ON Semiconductor)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Частично совместимые (требуется проверка параметров):

• IXGH50N60B3D1 (IXYS)
• APT50GR60J (Microsemi)
• MG50Q6ES40 (Mitsubishi Electric)

Применение

• Преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Индукционные нагреватели
• Электроприводы и сервосистемы
• Сварочные инверторы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется сверять параметры с даташитом конкретного производителя.