IGBT 50-RJP63F3A

Описание IGBT-модуля 50-RJP63F3A

50-RJP63F3A – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных преобразователей частоты, импульсных источников питания, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 100 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.8 В (при I_C = 50 А)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Рабочая температура: -40°C до +150°C

Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1.5 В (при I_F = 50 А)
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Корпус и монтаж:

• Тип корпуса: TO-247 (3-выводный)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.5 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от других производителей:

• Infineon: IKW50N60T (600V, 50A, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N60SMD
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD
• Mitsubishi: CM50DY-12H (двухключевой модуль)
• Toshiba: GT50J101

Прямые аналоги:

• 50-RJP63F3 (устаревшая версия)
• RJP63F3A (альтернативное обозначение)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы и источники питания
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если требуется модуль с улучшенными характеристиками, можно рассмотреть IXGH50N60B3D1 (IXYS) или IRG4PC50UD (Infineon).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!