IGBT 5200Di

IGBT 5200Di: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT 5200Di — это высококачественный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных и силовых электронных устройств. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, промышленных частотных преобразователях и системах управления электродвигателями.

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch Through) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.2 В (при I_C = 25 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (иногда TO-3P в аналогах) |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные парт-номера:

• IGBT 5200Di
• FGA50N120ANTD (Fairchild)
• IXGH50N120B3 (IXYS)
• HGTG50N120BN (Microsemi)

Аналоги и совместимые модели:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• MG50Q2YS40 (Toshiba)
• APT50GR120J (Microchip)

Применение

• Сварочные инверторы
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если вам нужна замена, рекомендуется сверять параметры V_CES, I_C и корпус.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!