IGBT 5pcIKW25N120T2

Описание IGBT 5pcIKW25N120T2

IGBT-транзистор серии IKW25N120T2 производства Infineon Technologies – это мощный высоковольтный ключ, предназначенный для инверторов, импульсных источников питания, сварочных аппаратов и других силовых электронных устройств. Отличается низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики:

• Тип: N-канальный IGBT с ультрабыстрым диодом
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 25 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 50 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 160 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.8 В (при I_C = 25 А)
• Время включения (t_on): 45 нс
• Время выключения (t_off): 220 нс
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0.78 °C/Вт
• Корпус: TO-247
• Диапазон температур: -55°C до +150°C
• Встроенный обратный диод: Да

Парт-номера и аналоги:

• Оригинальный номер: IKW25N120T2 (Infineon)
• Аналоги и совместимые модели:
  • IRG4PC50UD (International Rectifier)
  • FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG20N120B3D (STMicroelectronics)
  • IXGH25N120B3 (IXYS)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Устройства плавного пуска

Этот IGBT подходит для замены в схемах, где требуется высокая надежность и эффективность при работе с высокими напряжениями и токами.