IGBT 6RI50E-080

IGBT 6RI50E-080: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT 6RI50E-080 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, обеспечивает высокую эффективность и надежность в промышленных условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT модуль (NPT-технология) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 800 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 30 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_CP) | 100 А (макс.) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт (при T_c = 25°C) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Температура перехода (T_j) | от -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 К/Вт | | Корпус | 6RI (Isolated) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• 6RI50E-080 (оригинал SEMIKRON)
• SKM50GB063D (SEMIKRON, 600 В, 50 А)
• CM50DY-24H (Mitsubishi, 1200 В, 50 А)
• FF50R12RT4 (Infineon, 1200 В, 50 А)
• MG50Q6ES40 (Littelfuse, 600 В, 50 А)

Совместимые модули (по корпусу и параметрам):

• 6RI50G-120 (1200 В, 50 А)
• 6RI30E-080 (800 В, 30 А)
• 6RI75E-080 (800 В, 75 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Модуль 6RI50E-080 обладает высокой надежностью и подходит для замены в различных силовых схемах. При выборе аналога важно учитывать напряжение, ток и тепловые параметры.

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять даташиты производителей (SEMIKRON, Infineon, Mitsubishi).