IGBT 7MBR100SB-060-50

Описание IGBT модуля 7MBR100SB-060-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если уточнён)
Тип: IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного хода (FRD)
Назначение: Преобразование энергии в силовых электронных устройствах (инверторы, частотные преобразователи, системы управления двигателями и др.).

Технические характеристики

1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
2. Номинальный ток (I_C): 100 А (при 25°C)
3. Ток в импульсном режиме (I_CP): 200 А (кратковременно)
4. Ток диода (I_F): 100 А
5. Рассеиваемая мощность (P_tot): ~300 Вт (зависит от условий охлаждения)
6. Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.15 °C/Вт
7. Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1.8 В (при номинальном токе)
8. Время переключения (t_on/t_off): ~100 нс / ~300 нс
9. Температура эксплуатации: от -40°C до +150°C (T_j)
10. Корпус: Стандартный 2-in-1 модуль (Half-Bridge или другой, в зависимости от конфигурации).

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 7MBR100SB-060 (базовая модель)
• 7MBR100SA-060 (альтернативная версия с другими параметрами)
• CM100DY-24NF (от Powerex, аналог по характеристикам)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon: FF100R06KE3
• Fuji Electric: 6MBP100RA060
• Semikron: SKM100GB066D
• ON Semiconductor: NXH100B600H3Q2

Примечание: Перед заменой проверяйте распиновку, характеристики охлаждения и управляющие сигналы!

Особенности и применение

• Подходит для высокочастотных преобразователей и систем с КПД >95%.
• Встроенный температурный датчик (NTC) для защиты от перегрева (если есть).
• Рекомендуется использовать с качественными теплоотводами и пастой.

Если нужна точная документация, уточните производителя или проверьте datasheet на официальном сайте.