IGBT 7MBR75U2B060

Описание IGBT модуля 7MBR75U2B060

7MBR75U2B060 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в силовой электронике, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Модуль выполнен в стандартном корпусе 7MBR, обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых цепях с напряжением до 600 В и током до 75 А.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------|
| Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода |
| Макс. напряжение (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток (IC @ 80°C) | 75 А |
| Пиковый ток (ICM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (тип.) |
| Время включения (ton) | ~50 нс |
| Время выключения (toff) | ~200 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.25 °C/W |
| Корпус | 7MBR (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги Mitsubishi Electric:

• 7MBR75U2B060-50 (модификация с улучшенными параметрами)
• 7MBR75U2B060-70 (версия с другим теплоотводом)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R12KT4
• Fuji Electric: 7MBR75U2B060-01
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB75N60FL2WG

Применение и совместимость

Модуль 7MBR75U2B060 совместим с большинством инверторных схем на 600 В. При замене на аналог необходимо учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Распиновку и габариты корпуса
• Требования к охлаждению (возможна замена на модуль с лучшим тепловым сопротивлением).

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet и консультироваться с производителем.

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы включения), уточните запрос!