IGBT 90MT120KB

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 90MT120KB
Описание IGBT-модуля 90MT120KB
90MT120KB — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от IXYS, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, надежность и тепловые характеристики, что делает его подходящим для:
- Промышленных приводов
- Инверторов и преобразователей частоты
- Сварочного оборудования
- Систем управления электродвигателями
- Источников бесперебойного питания (ИБП)
Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, что обеспечивает высокий КПД в мощных системах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC при 25°C) | 90 А |
| Ток коллектора (IC при 100°C) | 60 А |
| Импульсный ток (ICM) | 180 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для частот до 20 кГц) |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | Изолированный (базовый материал — керамика) |
| Рабочая температура (Tj) | -40°C до +150°C |
Совместимые модели и аналоги
Прямые аналоги (включая парт-номера):
- IXYS 90MT120KB (оригинал)
- IXYS 90MT120KH (с улучшенными динамическими характеристиками)
- IXYS 90MT120KT (модификация с оптимизированным теплоотводом)
Аналоги от других производителей:
- Infineon FF90R12KT4
- Semikron SKM90GB12T4
- Mitsubishi CM90DY-12H
- Fuji Electric 2MBI90L-120
Примечания
- Замена аналогами требует проверки механических и электрических параметров, так как могут быть различия в характеристиках переключения и тепловом сопротивлении.
- Рекомендуется использовать оригинальные радиаторы и термопасту для эффективного охлаждения.
- Перед установкой проверьте распиновку, так как у разных производителей она может отличаться.
Если вам нужна дополнительная информация (datasheet, схемы подключения), уточните — предоставлю ссылки или файлы.