IGBT BSM150GB120DN2FE3256

Описание IGBT модуля BSM150GB120DN2FE3256

BSM150GB120DN2FE3256 — это IGBT-модуль второго поколения (NPT) с напряжением 1200 В и током 150 А, разработанный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Модуль включает в себя два IGBT-транзистора и два диода в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации, что делает его подходящим для преобразователей частоты и импульсных источников питания. Корпус выполнен в изолированном исполнении, обеспечивающем защиту от перегрева и электрических помех.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Half-Bridge (2x IGBT + 2x диода) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 150 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 55 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
| Корпус | 34 мм (изолированный, с термодатчиком NTC) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги от производителя (Infineon / Eupec):

• BSM150GB120DN2 (базовая версия без NTC)
• BSM150GB120DLC (альтернативная версия с улучшенными характеристиками)

Совместимые аналоги от других производителей:

• FZ150R12KE3 (Infineon)
• CM150DY-12H (Mitsubishi)
• MG150Q1US41 (Toshiba)
• FF150R12KE3 (Infineon, с более низким тепловым сопротивлением)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы
• Сварочное оборудование

Если требуется более мощный аналог, можно рассмотреть BSM200GB120DN2 (200 А, 1200 В). Для замены в критичных схемах рекомендуется проверять распиновку и характеристики.

Нужны дополнительные данные? Готов уточнить!