IGBT BSM181AR

Описание IGBT BSM181AR

BSM181AR – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для силовой электроники, частотных преобразователей, инверторов и других устройств управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую тепловую стабильность.

Производитель: Infineon Technologies (ранее Siemens Semiconductors).

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 18 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 10 А (при 100°C)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 180 Вт
• Тип модуля: Одиночный IGBT (1 в 1) с обратным диодом
• Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,0 В (при номинальном токе)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): ~100 нс / ~400 нс
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, с изолированным основанием

Диодные характеристики:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 18 А

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: BSM181AR120 (полное обозначение)
• Siemens: BSM181AR (старое обозначение)
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• Fuji Electric: 1MBI100L-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модули (с учетом характеристик):

• BSM100GB120DN2 (Infineon)
• BSM150GB120DN2 (Infineon, с большим током)
• CM75DY-12H (Mitsubishi, меньший ток)
• SKM75GB12T4 (SEMIKRON)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Промышленные источники питания
• Сварочные аппараты

Если требуется более мощный аналог, можно рассмотреть BSM200GB120DN2 (200 А, 1200 В). Для ремонта рекомендуется проверять распиновку и тепловые характеристики.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!