IGBT BSM50GB60DN2

Описание IGBT-модуля BSM50GB60DN2

BSM50GB60DN2 – это IGBT-модуль в корпусе SEMiX 2, разработанный компанией SEMIKRON. Он предназначен для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных системах. Модуль объединяет два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации (Half-Bridge).

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери проводимости.
• Встроенные быстрые диоды с мягким восстановлением.
• Низкое тепловое сопротивление благодаря изолированному медному основанию.
• Высокая перегрузочная способность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 В | | Номинальный ток коллектора (Ic) | 50 А (при 25°C) | | Ток импульсный (Icm) | 100 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | 1,9 В (при Ic = 50 А) | | Время включения (ton) | 50 нс | | Время выключения (toff) | 150 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,45 °C/Вт (на один ключ) | | Диапазон рабочих температур (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | SEMiX 2 (изолированный) |

Совместимые / альтернативные модели

Парт-номера (аналоги от других производителей):

• Infineon: FF50R06RT4 (600 В, 50 А, полумост)
• Fuji Electric: 2MBI50N-060 (600 В, 50 А)
• Mitsubishi: CM50DY-12H (600 В, 50 А)

Совместимые модели SEMIKRON в том же корпусе:

• BSM50GB120DN2 (1200 В, 50 А)
• BSM35GB60DN2 (600 В, 35 А)
• BSM75GB60DN2 (600 В, 75 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями

Модуль BSM50GB60DN2 сочетает в себе высокую надежность и эффективность, что делает его популярным решением для промышленных и коммерческих силовых приложений.

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните запрос!