IGBT BSM50GP120

Описание IGBT BSM50GP120

BSM50GP120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль имеет встроенный антипараллельный диод, что делает его пригодным для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других силовых электронных систем.

Основные особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В)
• Номинальный ток коллектора (I_C = 50 А)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенный ультрабыстрый диод для снижения обратных токов
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Импульсный ток коллектора (I_CM) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 350 нс (тип.) | | Встроенный диод (FWD) | Да | | Ток диода (I_F) | 50 А | | Корпус | модуль (N-изолированный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (Infineon и другие производители):

• Infineon BSM50GP120 (оригинал)
• Fuji Electric 2MBI50N-120
• Mitsubishi CM50DY-12H
• SEMIKRON SKM50GB12T4
• IXYS MIXA50W1200T

Похожие модули с близкими параметрами:

• BSM35GP120 (35 А, 1200 В)
• BSM75GB120DN2 (75 А, 1200 В)
• SKM50GB12V (SEMIKRON, 50 А, 1200 В)
• FF50R12RT4 (Infineon, 50 А, 1200 В, с NTC)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Модуль BSM50GP120 обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых приложениях, а его аналоги от других производителей позволяют подобрать замену при необходимости.