IGBT CM150DC24NFM

Описание и технические характеристики IGBT CM150DC24NFM

Описание:
IGBT CM150DC24NFM — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и промышленные приводы. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем высокую эффективность и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А |
| Пиковый ток коллектора (I_CM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 150 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 270 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40 °C ... +150 °C |
| Корпус | модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi:
  • CM150DY-24NFM
  • CM150DY-24NFH
• Infineon:
  • FF150R12RT4
  • FF150R12KT4
• Fuji Electric:
  • 2MBI150N-120
  • 2MBI150U4H-120
• SEMIKRON:
  • SKM150GB12T4
  • SKM150GB12V

Рекомендуемые драйверы:

• Mitsubishi:
  • M57962L (оптодрайвер)
• Infineon:
  • 1ED020I12-F2
• Texas Instruments:
  • UCC21520

Данный модуль может быть заменен аналогами с учетом электрических характеристик и типа корпуса. При замене рекомендуется проверять схему управления и условия охлаждения.

Если вам требуется дополнительная информация по применению или замене, уточните условия эксплуатации.