IGBT CM50DY24E

Описание IGBT CM50DY24E

IGBT CM50DY24E – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в модульном исполнении, предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль объединяет два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) импульсный | 100 А (макс.) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) при 50 А | | Падение напряжения на диоде (V_F) | 1,8 В (тип.) | | Мощность (P_tot) | 300 Вт (с теплоотводом) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C | | Корпус | Изолированный (с базовой пластиной) |

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от других производителей:

  • Infineon: FF50R12RT4
  • Fuji Electric: 2MBI50L-120
  • Mitsubishi: CM50DY-24H
  • Semikron: SKM50GB124D
  • Powerex (Mitsubishi): CM50DY-24S

• Прямые замены (по характеристикам):

  • CM50DY24H (версия с улучшенными параметрами)
  • CM50DY24S (аналог от Powerex)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль CM50DY24E требует правильного теплоотвода и управления затвором для надежной работы в высоковольтных схемах.