IGBT CM50DY24H

Описание IGBT CM50DY24H

IGBT CM50DY24H – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе TO-247, предназначенный для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов, сварочных аппаратов и других силовых электронных устройств. Модуль объединяет в одном корпусе N-канальный IGBT и быстрый антипараллельный диод, что обеспечивает высокую надежность и эффективность в схемах управления мощностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Тип устройства | IGBT с диодом | | Корпус | TO-247 | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 50 А) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Диапазон рабочих температур | -55°C … +150°C |

Антипараллельный диод

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Максимальное обратное напряжение (V_RRM) | 1200 В | | Прямой ток (I_F) | 50 А | | Прямое падение напряжения (V_F) | 1,7 В |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• CM50DY24H (оригинал)
• CM50DY24H3 (модификация)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N120B3D (Microsemi)
• IXGH50N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Аналоги с близкими характеристиками (возможна замена с проверкой схемы):

• CM75DY24H (75 А, 1200 В)
• CM100DY24H (100 А, 1200 В)
• IRG4PC50UD (International Rectifier, 55 А)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 75 А)

Применение

• Инверторы и драйверы двигателей
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Импульсные блоки питания
• Системы управления мощностью

Примечание

При замене на аналог необходимо учитывать различия в динамических характеристиках, тепловых параметрах и схемотехнике управления затвором.