IGBT DF75BA80

IGBT DF75BA80: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT-модуль DF75BA80 представляет собой высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе TO-247 или аналогичном. Этот модуль широко используется в силовой электронике: инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и импульсных источниках питания.

Модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью. Подходит для работы в жестких условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Тип | IGBT + Диод (встроенный антипараллельный диод) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 800 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 300 Вт (с радиатором) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N80 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG75N80 (Microsemi)
• STGW75H80DF (STMicroelectronics)

Похожие модели с другими характеристиками:

• DF75BA60 (600 В, 75 А)
• DF75BA100 (1000 В, 75 А)
• DF100BA80 (800 В, 100 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные блоки питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты производителей на соответствие параметров.