IGBT EVL32060D

Описание IGBT EVL32060D

IGBT EVL32060D — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в проводящем состоянии). Модуль часто используется в импульсных источниках питания, инверторах, электроприводах и системах управления двигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|-----------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 32 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 64 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 32 А) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Скорость переключения | Высокая (сотни кГц) | | Корпус | TO-247 или аналогичный | | Диод обратного восстановления | Встроенный (Fast Recovery) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Microsemi)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXGH32N60B (IXYS/Littelfuse)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• APT30GR60B (Microsemi)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электромобили и зарядные станции

Если вам нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните производителя (Infineon, Mitsubishi и др.), так как маркировка может отличаться.