IGBT FF150R12YT3BOMA1

Описание и технические характеристики IGBT модуля FF150R12YT3BOMA1

Производитель: Infineon Technologies
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) + диод
Корпус: TrenchStop™ IGBT3, модуль 62 мм (EconoDUAL™ 3)
Назначение: Применяется в мощных преобразователях, инверторах, промышленных приводах, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 150 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 625 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 330 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Диодная часть: | 1200 В, 150 А (свободный диод) |
| Корпусные выводы: | Винтовые клеммы |
| Вес: | ~180 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера от Infineon:

• FF150R12YT3 (основная модель)
• FF150R12YT3BOMA1 (полное обозначение с трекингом)
• FF150R12KT3 (альтернативная версия с другими характеристиками)

Совместимые / аналогичные модели от других производителей:

• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150U4B-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• ON Semiconductor: NXH150B12H3Q2

Особенности:

✔ Высокая перегрузочная способность
✔ Низкие динамические потери
✔ Встроенный NTC-термистор для контроля температуры
✔ Корпус с изоляцией (2500 В)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Электромобили и зарядные станции
• Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы)

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!