IGBT FGW75N60HD

Описание IGBT FGW75N60HD

FGW75N60HD — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 75 А. Применяется в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип | N-канальный IGBT | | Напряжение V_CES | 600 В | | Ток коллектора I_C (25°C) | 75 А (макс.) | | Ток коллектора I_C (100°C) | 45 А (макс.) | | Ток импульса I_CM | 150 А (макс.) | | Мощность P_tot | 300 Вт | | Напряжение V_GE | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения V_CE(sat) | 1,8 В (при I_C = 75 А) | | Время включения t_d(on) | 18 нс (тип.) | | Время выключения t_d(off) | 95 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера (аналоги и совместимые модели)

Прямые аналоги:

• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А)
• HGTG20N60B3 (ON Semiconductor, 600 В, 40 А)
• IXGH75N60B3 (IXYS, 600 В, 75 А)
• STGW75N60HD (STMicroelectronics, 600 В, 75 А)

Совместимые модели с близкими параметрами:

• FGA75N60SMD (Fairchild, 600 В, 75 А)
• IRGP4063DPBF (Infineon, 600 В, 70 А)
• APT75GR60J (Microsemi, 600 В, 75 А)

Примечание

При замене на аналог следует учитывать:

• напряжение V_CES (не менее 600 В),
• ток I_C (желательно ≥75 А),
• корпус (TO-247 для совместимости с охлаждением).

Если требуется точная замена, лучше выбирать STGW75N60HD или IXGH75N60B3, так как они имеют схожие характеристики.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения — пиши!