IGBT FP50R12KE3

Описание IGBT модуля FP50R12KE3

FP50R12KE3 – это IGBT-модуль с напряжением 1200 В и током 50 А, предназначенный для высокоэффективных преобразователей частоты, инверторов и сварочного оборудования. Модуль включает в себя два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (half-bridge) конфигурации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 48 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Диодное прямое напряжение (V_F) | 1,7 В (тип.) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | 62 мм (EconoPACK™ 3) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: FP50R12KT3, FP50R12KE3G
• Совместимые модули с близкими параметрами:
  • Fuji Electric: 2MBI50U2A-120
  • Mitsubishi Electric: CM50DY-12H
  • SEMIKRON: SKM50GB12T4

Похожие модули (с другими характеристиками):

• FP35R12KE3 (35A, 1200V)
• FP75R12KE3 (75A, 1200V)
• FP50R12KT4 (новейшая версия с улучшенными параметрами)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы

Модуль FP50R12KE3 популярен благодаря высокой надежности и хорошему балансу цены и производительности. При замене рекомендуется проверять распиновку и тепловые характеристики.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения – пишите!