IGBT FP50R12KT4G_B15

Описание IGBT модуля FP50R12KT4G_B15

FP50R12KT4G_B15 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Он сочетает в себе мощные IGBT-транзисторы с диодами обратного восстановления (антипараллельные диоды) в одном корпусе, обеспечивая высокую надежность и эффективность в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом (DUAL) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Макс. мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Диод обратного восстановления (V_RRM) | 1200 В |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | EconoDUAL™ 3 (62 мм) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon

• FP50R12KT3 (более старая версия)
• FP50R12KT3G (аналогичные параметры, другой вариант корпуса)
• FP50R12KE3G (альтернатива с близкими характеристиками)

Аналоги от других производителей

• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания

Модуль FP50R12KT4G_B15 отличается высокой надежностью и подходит для замены в большинстве схем, где используются аналогичные IGBT-модули с напряжением 1200 В и током до 50 А.

Если нужна дополнительная информация по замене или применению, уточните условия эксплуатации.