IGBT FP75R12KE3

Описание IGBT FP75R12KE3

FP75R12KE3 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных силовых приложений, таких как:

• Промышленные приводы
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и зарядные станции
• Сварочное оборудование

Модуль имеет низкие потери проводимости и высокую эффективность благодаря технологии TrenchStop™. Он также оснащен встроенным быстрым диодом (anti-parallel diode), что обеспечивает надежную работу в инверторных схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------------|-------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 150 А (импульсный) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 350 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | EconoPACK™ 3 |
| Вес | ~150 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• FP75R12KT3 (аналог с улучшенными характеристиками)
• FP75R12KE3G (версия с оптимизированными потерями)

Аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM75DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые замены (проверять распиновку!):

• IRG7PH35UD1 (International Rectifier)
• STGW75HF60S (STMicroelectronics)

Примечание

Перед заменой модуля необходимо уточнить распиновку и электрические параметры, так как даже схожие модели могут отличаться по характеристикам и креплению.

Если вам нужна дополнительная информация, уточните область применения или требования к замене!