IGBT FZ300R12KE3

Описание и технические характеристики IGBT модуля FZ300R12KE3

Производитель: Infineon Technologies
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного хода (антипараллельный диод)
Конфигурация: Двухканальный (Half-Bridge)
Назначение: Применяется в мощных преобразователях, инверторах, промышленных приводах, сварочном оборудовании, системах электропривода.

Основные технические характеристики

1. Электрические параметры (при 25°C, если не указано иное)

• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC @ 100°C): 300 А
• Импульсный ток (ICM): 600 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 1,7 В (тип.) при IC = 300 A
• Время включения (ton): ~50 нс
• Время выключения (toff): ~200 нс
• Диод обратного хода (FWD):
  • Макс. ток (IF): 300 А
  • Прямое падение напряжения (VF): 1,8 В (тип.)

2. Тепловые параметры

• Макс. температура перехода (Tj): 150°C
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,05 K/W
• Тепловое сопротивление (Rth(c-s)): 0,02 K/W (с радиатором)

3. Механические характеристики

• Корпус: 62 мм (IHV, модуль с изолированным основанием)
• Монтаж: Винтовое соединение
• Вес: ~270 г

Совместимые модели и парт-номера

Прямые аналоги от Infineon:

• FZ300R12KE3G (версия с оптимизированными характеристиками)
• FZ300R12KS4 (альтернативная версия с аналогичными параметрами)

Аналоги от других производителей:

• SEMiX300GB12E4 (Semikron)
• CM300DY-12NF (Mitsubishi Electric)
• MBN300H12D (Fuji Electric)

Примечания

• Модуль требует использования качественного охлаждения (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется использовать драйверы с изолированным питанием (например, 2SC0106T от Infineon).
• Перед заменой на аналог необходимо проверить распиновку и характеристики.

Если нужна дополнительная информация (datasheet, схемы подключения), уточните!