IGBT GA150LD120ST

Описание IGBT модуля GA150LD120ST

GA150LD120ST – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Toshiba, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и управляемых приводов. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, а также высокую надежность благодаря технологии NPT (Non-Punch Through).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Макс. ток коллектора (I_CM) | 300 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 500 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Тип корпуса | 6-выводной (стандартный) |

Характеристики встроенного диода

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 1200 В | | Средний прямой ток (I_F(AV)) | 150 А | | Прямое падение напряжения (V_F) | 1,7 В (при 75 А) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Toshiba:

• MG150Q2YS40 (1200 В, 150 А, другой корпус)
• MG150Q1US41 (1200 В, 150 А, более новый аналог)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4 (1200 В, 150 А)
• Fuji Electric: 2MBI150N-120 (1200 В, 150 А)
• Mitsubishi: CM150DY-24H (1200 В, 150 А)

Области применения

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Тяговые преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Модуль GA150LD120ST подходит для замены в устройствах, где требуются высокие токи и напряжение до 1200 В. Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики встроенного диода.

Нужна дополнительная информация? Уточните детали!