IGBT IKW75N65EL5XKSA1

IGBT IKW75N65EL5XKSA1 – Описание и технические характеристики

Описание

IKW75N65EL5XKSA1 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Этот компонент сочетает высокое напряжение пробоя, низкие потери проводимости и переключения, а также отличную устойчивость к перегрузкам.

Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 650 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А | | Импульсный ток коллектора (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,55 В (при I_C = 75 А) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 330 Вт | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,38 К/Вт | | Время включения (t_on) | 16 нс | | Время выключения (t_off) | 140 нс | | Корпус | TO-247 (3 контакта, изолированный) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon:

• IKW75N65EH5XKSA1 (аналог с улучшенными динамическими характеристиками)
• IKW75N65ES5XKSA1 (альтернативная версия с аналогичными параметрами)

Совместимые модели от других производителей:

• STGW75HF65WD (STMicroelectronics)
• FGH75N65SHD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRGP75B65PD1 (Infineon International Rectifier)

Заключение

IGBT IKW75N65EL5XKSA1 – мощный и надежный транзистор, подходящий для высоковольтных приложений. Его аналоги и совместимые модели позволяют легко найти замену в случае необходимости.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос!