IGBT IXBX75N170

Описание IGBT IXBX75N170

IXBX75N170 — это N-канальный IGBT-транзистор с высоким напряжением коллектор-эмиттер (1700 В) и током коллектора до 75 А (при 25°C). Модуль предназначен для мощных преобразователей энергии, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А | | Пиковый ток (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.42 °C/Вт | | Корпус | TO-264 (аналог TO-3P) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS IXBX75N170 (оригинальный производитель)
• IRG7PH50UD1 (International Rectifier, 1200 В, 75 А)
• FGA75N170 (Fairchild/ON Semi, 1700 В, 75 А)
• STGW75HF170 (STMicroelectronics)

Примечание: При замене необходимо учитывать различия в характеристиках, особенно напряжение V_CES и корпус.

Применение

• Высоковольтные инверторы
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы двигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны спецификации по управляющему драйверу или схемы включения, уточните запрос!