IGBT IXGH16N170

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT IXGH16N170
Описание IGBT IXGH16N170
IXGH16N170 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства IXYS (ныне часть Littelfuse). Этот компонент предназначен для высоковольтных и высокомощных приложений, таких как:
- Инверторы и импульсные источники питания
- Системы управления электродвигателями
- Сварочное оборудование
- Индукционный нагрев
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1700 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 16 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 8 А |
| Импульсный ток (ICM) | 32 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 160 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | ~2.5 Ом (зависит от условий) |
| Температура перехода (Tj) | от -55°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (стандартный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены (проверяйте распиновку и характеристики!):
- IXGH16N170A (модифицированная версия)
- IXGH16N170B
- IXGH20N170 (20 А, 1700 В)
- IXGH24N170 (24 А, 1700 В)
- IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200 В, но может использоваться в некоторых схемах)
- FGA25N170ANTD (Fairchild/ON Semi, 25 А, 1700 В)
Примечания
- Перед заменой проверяйте VCES, IC, скорость переключения и тепловые параметры.
- Для высокочастотных применений важна ёмкость затвора (Cies, Coes).
Если нужны datasheet или уточнения по аналогам — уточните условия применения!