IGBT IXGP30N60C3C1

Описание IGBT IXGP30N60C3C1

IXGP30N60C3C1 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) производства IXYS (Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы, электроприводы, сварочные аппараты и другие силовые электронные устройства.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) — 600 В
• Ток коллектора (I_C @25°C) — 30 А
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение благодаря технологии Trench-Gate
• Встроенный диод для защиты от обратного напряжения
• Корпус TO-247 (стандартный, удобный для монтажа)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C @25°C) | 30 А |
| Ток коллектора (I_C @100°C) | 15 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 60 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat) @15A) | 1.9 В |
| Время включения (t_d(on)) | 20 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 80 нс |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ +150°C |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по производителям):

• IXYS: IXGP30N60C3, IXGP30N60C3D1
• Infineon: IKW30N60T
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• Fairchild/ON Semi: FGA30N60SMD
• Toshiba: GT30J601

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PC30UD (International Rectifier)
• HGTG30N60A4D (Fairchild/ON Semi)
• FGH30N60SMD (Fairchild/ON Semi)
• APT30GF60B (Microsemi)

Заключение

IGBT IXGP30N60C3C1 подходит для силовых преобразователей, инверторов и других высоковольтных приложений. Его аналоги могут быть использованы в случае отсутствия оригинальной модели, но перед заменой рекомендуется проверить параметры в даташите.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните!