IGBT J2-Q24A-B

Описание и технические характеристики IGBT J2-Q24A-B

Описание:
IGBT J2-Q24A-B — это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT (N-канальный) с антипараллельным диодом |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 24 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В (при I_C = 24 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-контактный) |
| Тип диода (FWD) | Быстрый восстановительный диод |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG24N120BND (Microsemi)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• IXGH24N120B (IXYS)
• STGW30NC120WD (STMicroelectronics)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если требуется уточнение по конкретной замене, рекомендуется свериться с даташитами производителей.