IGBT k200a02

Описание и технические характеристики IGBT K200A02

IGBT K200A02 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в высоковольтных и сильноточных схемах. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и промышленных преобразователях частоты.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Ток коллектора при 100°C (I_C @100°C) | ~120 А |
| Максимальная импульсная мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 200 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.15 °C/Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (возможны аналоги) |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT K200A02 может иметь аналоговые замены от других производителей:

Оригинальные и аналоги:

• IRG4PC200U (International Rectifier)
• FGA200N02 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW200N02S (STMicroelectronics)
• IXGH200N02 (IXYS/Littelfuse)
• HGTG20N200C3 (Microsemi)

Совместимые модели в схемах:

• K200A02 может заменяться на модули с похожими параметрами (например, IRGP4063DPBF, если требуется более высокое напряжение).
• В некоторых схемах возможна замена на IRGP50B60PD1 (600 В, 50 А) при меньших токах.

Примечания:

• Перед заменой необходимо уточнять распиновку и параметры схемы.
• Рекомендуется проверять тепловые характеристики, так как разные производители могут иметь отличия в эффективности охлаждения.

Если вам нужны точные параметры для конкретного применения, уточните условия работы (частота, нагрузка, система охлаждения).