IGBT M50DY-28H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT M50DY-28H
Описание IGBT M50DY-28H
M50DY-28H – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и систем управления электродвигателями. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем высокую теплоотдачу и электрическую изоляцию.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + Диод (полумагнитный модуль) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1400 В | | Номинальный ток (IC) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 250 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (ton) | 180 нс | | Время выключения (toff) | 500 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | модульный, изолированный (например, 28-выводной) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены могут зависеть от производителя, но распространенные варианты:
Прямые аналоги:
- M50DY-12H (аналогичный модуль, но с VCES = 600 В)
- M50DY-24H (VCES = 1200 В)
- CM50DY-28H (версия от других производителей)
Совместимые/альтернативные модели:
- FGA50N60 (Fairchild, 50А, 600В)
- IXGH50N60B (IXYS, 50А, 600В)
- IRG4PH50U (Infineon, 50А, 1200В)
Примечания
- Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно напряжение и ток.
- Рекомендуется использовать с теплоотводом и системой охлаждения.
Если требуется уточнение по конкретному производителю или datasheet, укажите дополнительные детали.