IGBT MG100J6ES52

Описание и технические характеристики IGBT MG100J6ES52

MG100J6ES52 – это высоковольтный IGBT-транзистор с быстрым восстановлением обратного диода, предназначенный для использования в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью и низкими коммутационными потерями.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 100°C)
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.) при I_C = 100 А
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Встроенный свободный диод: Да (Fast Recovery Diode)
  • Обратное напряжение диода (V_RRM): 600 В
  • Прямой ток диода (I_F): 100 А

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт

Механические параметры:

• Корпус: модульный, изолированный (TO-247 или аналогичный)
• Крепление: винтовое или прижимное

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• MG100J6ES50 (аналогичные параметры, возможны небольшие различия в корпусе)
• MG100J6ES51 (альтернативная версия от того же производителя)
• CM100DY-24NF (от Powerex / Mitsubishi)
• FF100R06KE3 (Infineon)
• SKM100GB066D (Semikron)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• FGA100N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• IXGH100N60B3 (IXYS)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и сервосистемы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните – предоставлю более детальную информацию.