IGBT MG15N6EK1

Описание IGBT MG15N6EK1

MG15N6EK1 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для управления мощными нагрузками в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенный обратный диод (Flyback Diode) для защиты от обратных напряжений.
• Изолированный корпус (TO-220F), обеспечивающий удобный монтаж и теплоотвод.
• Работает при высоких напряжениях и токах, подходит для промышленных применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Макс. напряжение (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) |
| Ток импульса (I_CM) | 30 А |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В |
| Мощность (P_tot) | 100 Вт (при 25°C) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при I_C = 15 А) |
| Время переключения (t_on / t_off) | ~50 нс / ~150 нс |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |
| Корпус | TO-220F (изолированный) |
| Температура работы | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• MG15N6ES1 (аналог с близкими параметрами)
• IRG4PC40UD (International Rectifier, 600 В, 14 А)
• FGA15N60 (Fairchild, 600 В, 15 А)
• STGW15NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 15 А)
• HGTG15N60B3D (ON Semiconductor, 600 В, 15 А)

Похожие модели от других производителей:

• Infineon: IKW15N60T (600 В, 15 А)
• Toshiba: GT15J101 (600 В, 15 А)
• Mitsubishi: CM15DY-12H (600 В, 15 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания
• Сварочное оборудование
• Управление двигателями
• Системы бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужен точный аналог, важно учитывать параметры схемы, особенно скорость переключения и тепловые характеристики.