IGBT MG200J2YS1

Описание IGBT MG200J2YS1

IGBT MG200J2YS1 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств.

Корпус модуля обеспечивает хорошие тепловые характеристики и электрическую изоляцию, что упрощает монтаж на радиаторы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 200 А | | Импульсный ток (I_CP) | 400 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | 90 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Затвор-эмиттерное напряжение (V_GE) | ±20 В | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт | | Корпус | модуль с изолированным основанием (обычно TO-247 или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера

• Mitsubishi: CM200DY-12NFH, CM200DY-24NFH (аналоги по параметрам)
• Fuji: 2MBI200U2B-120
• Infineon: FF200R12KE3
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Совместимые модели (зависит от схемы применения)

• MG200J2YS50 (модификация с другими характеристиками)
• MG200Q2YS1 (аналог с другим корпусом)
• MG200J2YS51 (версия с улучшенными параметрами)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна замена, важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также разводку выводов модуля.

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить!