IGBT mg8n6es40

Описание IGBT MG8N6ES40

MG8N6ES40 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигательные приводы и сварочное оборудование.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 600 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 8 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие потери
• Встроенный свободно-колеблющий диод (FWD)
• Корпус TO-220F (изолированный вариант TO-220)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 8 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 16 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 8 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 40 Вт |
| Время включения (t_on) | ~35 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-220F (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (аналогичные параметры):

• IRG4PC40U (International Rectifier)
• HGTG8N60A4D (ON Semiconductor)
• FGA8N60 (Fairchild/ON Semi)
• STGP8NC60HD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (схожие по характеристикам):

• MG10N6ES40 (10 А, 600 В, TO-220F)
• MG8N6ES60 (8 А, 600 В, TO-220F)
• MG8N6ES50 (8 А, 500 В, TO-220F)
• IRGP4063DPBF (Infineon, 8 А, 600 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями

Если нужны более точные аналоги или datasheet, уточните производителя (Mitsubishi, Toshiba и т.д.).