IGBT mubw25-06a6

Описание IGBT модуля MUBW25-06A6

MUBW25-06A6 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Модуль имеет компактную конструкцию с изолированным основанием, что обеспечивает удобный монтаж на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 25 А | | Импульсный ток коллектора (I_CM) | 50 А | | Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Диод обратного восстановления (t_rr) | 100 нс (тип.) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 °C/Вт | | Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• MUBW25-06A6 (оригинал)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N60A4 (ON Semiconductor)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH25N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели в схемах:

• Может заменяться на модули с аналогичными характеристиками (600 В, 25–30 А).
• В некоторых случаях подходят модули с большим током (например, 30А/600В), если требуется повышенная нагрузочная способность.

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики диода.
• Для надежной работы рекомендуется использовать термопасту и радиатор с эффективным охлаждением.

Если вам нужны дополнительные данные (datasheet, схемы подключения), уточните производителя модуля (например, Fuji, Infineon, Mitsubishi).