IGBT P213A0403

Описание IGBT P213A0403

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) P213A0403 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных приложениях.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенный антипараллельный диод для защиты от обратных токов.
• Надежная конструкция, устойчивая к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 40 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 80 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (с радиатором) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA40N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG40N60C3 (Microsemi)
• STGW40H60DF (STMicroelectronics)

Частично совместимые (требуется проверка параметров):

• IXGH40N60C3D1 (IXYS)
• NGTB40N60S3WG (ON Semiconductor)

Альтернативы с похожими характеристиками (600 В / 40 А):

• IKW40N60T (Infineon)
• APT40GF60JU2 (Microchip Technology)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить распиновку и характеристики в даташите, так как у разных производителей могут быть отличия в управляющих напряжениях и тепловых режимах.

Если вам нужен даташит на конкретную модель, укажите производителя – помогу найти документацию.