IGBT P-80-70pc

Описание IGBT модуля P-80-70pc

IGBT P-80-70pc – это мощный транзисторный модуль с интегрированным диодом, предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей тепловой стабильностью.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 80 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 70 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 160 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (при I_C = 80 А)
• Ток утечки (I_CES): ≤ 1 мА
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт

Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1,8 В (при I_F = 80 А)
• Время восстановления (t_rr): 100 нс

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, изолированный
• Монтаж: винтовой или на радиатор
• Рабочая температура: от -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF80R12KT3, FF80R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI100U4B-060
• Mitsubishi: CM80DY-12H
• SEMIKRON: SKM80GB12T4
• IXYS: MIXA80W1200T

Совместимые модели в схемах:

• Для инверторов: FSBB20CH60, 6MBP50RA060
• Для частотных преобразователей: PM75RSE060, FMG2G75US60

Модуль P-80-70pc может быть заменен на аналоги с близкими параметрами, но перед установкой рекомендуется проверять распиновку и термические характеристики.

Если нужны дополнительные данные по аналогам или схемы подключения, уточните детали.