IGBT QM100HC-M
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM100HC-M
IGBT QM100HC-M: Описание и технические характеристики
Общее описание
IGBT QM100HC-M – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Коллектор-эмиттер напряжение (VCES) | до 1200 В (зависит от модификации) | | Ток коллектора (IC) | 100 А (при 25°C) | | Ток коллектора (IC) | ~70 А (при 100°C) | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 330 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~2.0 В (при 50 А) | | Время включения (ton) | ~60 нс | | Время выключения (toff) | ~280 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-контактный) |
Эквиваленты и совместимые модели
Парт-номера и аналоги:
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
- FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG20N120BND (Microsemi)
- IXGH48N60B3D1 (IXYS)
Совместимые модели (по характеристикам):
- QM75HC-M (75 А, 1200 В)
- QM150HC-M (150 А, 1200 В)
- QM200HC-M (200 А, 1200 В)
- STGW30H120DF (STMicroelectronics)
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Импульсные блоки питания
- Электроприводы и сервосистемы
- Управление электродвигателями
Примечание
Перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно напряжение VCES и ток IC.
Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос.
Парт номера для IGBT QM100HC-M
QM100HCM