IGBT QM100HC-M

IGBT QM100HC-M: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT QM100HC-M – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | до 1200 В (зависит от модификации) | | Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | ~70 А (при 100°C) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 330 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при 50 А) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~280 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-контактный) |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера и аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• IXGH48N60B3D1 (IXYS)

Совместимые модели (по характеристикам):

• QM75HC-M (75 А, 1200 В)
• QM150HC-M (150 А, 1200 В)
• QM200HC-M (200 А, 1200 В)
• STGW30H120DF (STMicroelectronics)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы и сервосистемы
• Управление электродвигателями

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно напряжение V_CES и ток I_C.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос.