IGBT QM20TD-HB-tdhb

Описание IGBT модуля QM20TD-HB-TDHB

QM20TD-HB-TDHB – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и устойчивость к перегрузкам. Модуль используется в инверторах, импульсных источниках питания, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 20 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 40 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,5–2,0 В |
| Время включения (t_on) | 30–50 нс |
| Время выключения (t_off) | 100–150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,8–1,2 °C/Вт |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• FGA20N60 (Fairchild, 20A, 600V)
• IRG4PH40UD (Infineon, 20A, 600V)
• STGW20NC60WD (STMicroelectronics, 20A, 600V)
• IXGH20N60B3D1 (IXYS, 20A, 600V)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• QM10TD-HB-TDHB (10A, 600V)
• QM30TD-HB-TDHB (30A, 600V)
• QM50TD-HB-TDHB (50A, 600V)

Если вам нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики характеристик), уточните запрос.