IGBT QM30TF-2HB

Описание IGBT QM30TF-2HB

QM30TF-2HB – это изолированный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль имеет встроенные обратные диоды (FRD), обеспечивающие защиту от обратных токов, и выполнен в стандартном корпусе, подходящем для монтажа на радиатор.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Максимальный ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 60 А (импульсный)
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,8 В (при I_C = 30 А)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Температура хранения: -40°C … +150°C
• Корпус: стандартный модульный (изолированный)

Встроенный диод:

• Максимальный обратный ток (I_RRM): 30 А
• Прямое падение напряжения (V_F): ~1,5 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и прямые замены:

• Fuji Electric:
  • 2MBI30N-060 (аналог по характеристикам)
• Mitsubishi:
  • CM30TF-12H
• Infineon:
  • IKW30N60T (отдельный IGBT, но с похожими параметрами)
• SEMIKRON:
  • SKM30GB063D

Совместимые модели в других сериях:

• QM50TF-2HB (более мощная версия, 50 А)
• QM20TF-2HB (менее мощная версия, 20 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя, так как параметры могут незначительно отличаться.

Нужна дополнительная информация? 😊