IGBT QM75DY-HB

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM75DY-HB
Описание IGBT модуля QM75DY-HB
QM75DY-HB – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления двигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |-------------------------------|-----------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (IC) | 75 А (при 25°C) | | Ток коллектора импульсный (ICM) | 150 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | ~200 Вт (с радиатором) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при 75 А) | | Время включения (ton) | 50 нс | | Время выключения (toff) | 150 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | Полупроводниковый модуль (изолированный) | | Схема включения | 6-in-1 (трехфазный мост) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Fuji Electric: 6MBP75RA060
- Infineon: FF75R12RT4
- Mitsubishi: PM75DSA060
- SEMIKRON: SKM75GB12T4
- Toshiba: MG75Q6ES40
Совместимые модели (по характеристикам):
- QM100DY-HB (100 А)
- QM50DY-HB (50 А)
- FF100R12RT4 (Infineon, 100 А)
- SKM75GB12T4 (SEMIKRON, 75 А)
Применение
- Частотные преобразователи
- Промышленные инверторы
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочное оборудование
Модуль QM75DY-HB подходит для замены в схемах, где требуются аналогичные параметры по току и напряжению. Рекомендуется проверять распиновку и характеристики перед установкой аналога.
Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните!