IGBT QM75HAH-G

Описание IGBT QM75HAH-G

IGBT QM75HAH-G – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных электронных устройствах, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные сварочные аппараты

Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также обладает хорошей термостабильностью.

Технические характеристики QM75HAH-G

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 75 А | | Ток коллектора импульсный (I_CM) | 150 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40 °C до +150 °C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW75H60DF (STMicroelectronics)
• IXGH75N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модули (по параметрам):

• QM75HAH-H (более высокая мощность, 600 В, 100 А)
• QM50HAH-G (аналог на меньший ток, 50 А)
• QM100HAH-G (аналог на больший ток, 100 А)

Примечания

1. Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как параметры могут отличаться.
2. Охлаждение – модуль требует эффективного радиатора или активного охлаждения при высоких нагрузках.
3. Управление затвором – необходимо использовать драйвер с подходящими характеристиками.

Если вам нужна дополнительная информация (даташит, схемы подключения), уточните запрос!